CIGW252010EH4R7MNE

CIGW252010EH4R7MNE Samsung Electro-Mechanics


CIGW252010EH4R7MNE_Spec.pdf Виробник: Samsung Electro-Mechanics
Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 150MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.2A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.4 A
на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.66 грн
6000+ 9.01 грн
15000+ 8.72 грн
30000+ 7.91 грн
75000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CIGW252010EH4R7MNE Samsung Electro-Mechanics

Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 150MOHM SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±20%, Package / Case: 1008 (2520 Metric), Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm), Mounting Type: Surface Mount, Shielding: Shielded, Type: Drum Core, Wirewound, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, DC Resistance (DCR): 150mOhm Max, Current - Saturation (Isat): 2.2A, Material - Core: Metal Composite, Inductance Frequency - Test: 1 MHz, Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric), Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm), Part Status: Active, Inductance: 4.7 µH, Current Rating (Amps): 1.4 A.

Інші пропозиції CIGW252010EH4R7MNE за ціною від 8.14 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CIGW252010EH4R7MNE CIGW252010EH4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics CIGW252010EH4R7MNE_Spec.pdf Description: FIXED IND 4.7UH 1.4A 150MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 150mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.2A
Material - Core: Metal Composite
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 1008 (2520 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.4 A
на замовлення 81149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
15+ 18.85 грн
25+ 17.44 грн
50+ 15 грн
100+ 13.23 грн
250+ 12.82 грн
500+ 11.26 грн
1000+ 9.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
CIGW252010EH4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics Samsung_11182021_CIGW252010EH4R7MNE-2885793.pdf Power Inductors - SMD CIGW,Wire wound,1008,4.7uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
на замовлення 78074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.09 грн
18+ 17.81 грн
100+ 11.82 грн
1000+ 9.55 грн
3000+ 8.68 грн
9000+ 8.41 грн
24000+ 8.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
4,7uH 20% 1008 (CIGW252010EH4R7MNE)
Код товару: 183663
Індуктивності, дроселі > Індуктивності SMD інші
товар відсутній
CIGW252010EH4R7MNE CIGW252010EH4R7MNE Виробник : Samsung Electro-Mechanics cigw252010eh4r7mne_1.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.4A 0.15Ohm DCR 1008 T/R
товар відсутній