Продукція > ONSEMI > 50C02SS-TL-E
50C02SS-TL-E

50C02SS-TL-E onsemi

en7519-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.4A 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.21 грн
17+ 16.72 грн
100+ 8.42 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.78 грн
2000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 50C02SS-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 400mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-623, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 500MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції 50C02SS-TL-E за ціною від 4.37 грн до 30.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
50C02SS-TL-E 50C02SS-TL-E Виробник : ONSEMI 2337900.pdf Description: ONSEMI - 50C02SS-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 400 mA, 200 mW, SOT-623, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 500MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.03 грн
34+ 22.11 грн
100+ 11.28 грн
500+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 25
50C02SS-TL-E 50C02SS-TL-E Виробник : ON Semiconductor EN7519-D-1803748.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.4A 50V
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50C02SS-TL-E 50C02SS-TL-E Виробник : onsemi en7519-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.4A 3SSFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 500MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Current - Collector (Ic) (Max): 400 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній