Продукція > ONSEMI > ATP113-TL-H
ATP113-TL-H

ATP113-TL-H onsemi

ena1755-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.66 грн
6000+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ATP113-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: ATPAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ATP113-TL-H за ціною від 42.97 грн до 223.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ATP113-TL-H ATP113-TL-H ONSEMI 2907342.pdf Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.46 грн
500+73.21 грн
1000+66.32 грн
5000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ATP113-TL-H ATP113-TL-H onsemi ena1755-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 25923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.35 грн
10+102.55 грн
100+69.97 грн
500+52.60 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ATP113-TL-H ATP113-TL-H onsemi ATP113-D.PDF MOSFETs SWITCHING DEVICE
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.66 грн
10+107.56 грн
100+64.70 грн
500+51.48 грн
1000+46.06 грн
3000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ATP113-TL-H ATP113-TL-H ONSEMI 2907342.pdf Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.99 грн
10+144.40 грн
100+98.46 грн
500+73.21 грн
1000+66.32 грн
5000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ATP113-TL-H 2907342.pdf
ATP113-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.46 грн
500+73.21 грн
1000+66.32 грн
5000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ATP113-TL-H ena1755-d.pdf
ATP113-TL-H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 25923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.35 грн
10+102.55 грн
100+69.97 грн
500+52.60 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ATP113-TL-H ATP113-D.PDF
ATP113-TL-H
Виробник: onsemi
MOSFETs SWITCHING DEVICE
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.66 грн
10+107.56 грн
100+64.70 грн
500+51.48 грн
1000+46.06 грн
3000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ATP113-TL-H 2907342.pdf
ATP113-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.99 грн
10+144.40 грн
100+98.46 грн
500+73.21 грн
1000+66.32 грн
5000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.