Продукція > ONSEMI > ATP113-TL-H
ATP113-TL-H

ATP113-TL-H onsemi

ena1755-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ATP113-TL-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: ATPAK (2 leads+tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Supplier Device Package: ATPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V.

Інші пропозиції ATP113-TL-H за ціною від 46.38 грн до 108.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ATP113-TL-H ATP113-TL-H Виробник : onsemi ena1755-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Supplier Device Package: ATPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 86.49 грн
100+ 68.83 грн
500+ 54.66 грн
1000+ 46.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
ATP113-TL-H ATP113-TL-H Виробник : ON Semiconductor 73ena1755-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 35A 3-Pin(2+Tab) ATPAK T/R
товар відсутній
ATP113-TL-H Виробник : ONSEMI ena1755-d.pdf ATP113-TL-H SMD P channel transistors
товар відсутній