| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 108.35 грн |
| 10+ | 97.17 грн |
| 25+ | 82.40 грн |
| 100+ | 68.92 грн |
| 250+ | 67.59 грн |
| 500+ | 65.08 грн |
| 1000+ | 58.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP12P10 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FQP12P10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQP12P10 | Виробник : ONS/FAI |
 MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220 Транзистори |
товару немає в наявності |
||
 |
FQP12P10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |