Продукція > NXP > A2I08H040NR1

A2I08H040NR1 NXP


A2I08H040N.pdf Виробник: NXP
RF Power LDMOS Transistor 728-960 MHz 9 W, Vs=28 V
на замовлення 19 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4457.6 грн
10+ 3621.8 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I08H040NR1 NXP

Description: IC RF LDMOS AMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-15 Variant, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 920MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 9W, Gain: 30.7dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270WB-15, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 25 mA.

Інші пропозиції A2I08H040NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A2I08H040NR1 A2I08H040NR1 Виробник : NXP Semiconductors 18a2i08h040n.pdf RF Amp Module Dual Power Amp 960MHz 32V 17-Pin(15+2Tab) TO-270 WB EP T/R
товар відсутній
A2I08H040NR1 A2I08H040NR1 Виробник : NXP USA Inc. A2I08H040N.pdf Description: IC RF LDMOS AMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270-15 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 920MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 9W
Gain: 30.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270WB-15
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 25 mA
товар відсутній
A2I08H040NR1 A2I08H040NR1 Виробник : NXP / Freescale A2I08H040N-1125663.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V
товар відсутній