Технічний опис A2I09VD050GNR1 NXP USA Inc.
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A2I09VD050GNR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2I09VD050GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V |
товар відсутній |