A2I20H080GNR1 NXP USA Inc.


A2I20H080N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2I20H080GNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V.

Інші пропозиції A2I20H080GNR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A2I20H080GNR1 A2I20H080GNR1 Виробник : NXP / Freescale A2I20H080N-1125916.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
товар відсутній