Технічний опис A2I20H080NR1 NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V.
Інші пропозиції A2I20H080NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A2I20H080NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
товар відсутній |
||
 |
A2I20H080NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V |
товар відсутній |