Технічний опис A2I35H060NR1 NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V.
Інші пропозиції A2I35H060NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A2I35H060NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
 Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
товар відсутній |
||
| A2I35H060NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V |
товар відсутній |