A2T09VD250NR1

A2T09VD250NR1 NXP Semiconductors


978743496240452a2t09vd250n.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF Power LDMOS Transistor
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2T09VD250NR1 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 48V TO270-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-6 Variant, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 920MHz, Configuration: Dual, Power - Output: 65W, Gain: 22.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270WB-6A, Voltage - Rated: 105 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 1 A.

Інші пропозиції A2T09VD250NR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A2T09VD250NR1 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 48V TO270-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270-6 Variant, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 920MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 65W
Gain: 22.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270WB-6A
Voltage - Rated: 105 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 1 A
товар відсутній
A2T09VD250NR1 Виробник : NXP Semiconductors A2T09VD250N-3138014.pdf RF MOSFET Transistors Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V
товар відсутній