A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: IC TRANS RF LDMOS
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.88GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 58W
Gain: 16.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 700 mA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 11732.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T20H330W24SR6 NXP USA Inc.
Description: IC TRANS RF LDMOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.88GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 58W, Gain: 16.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 700 mA.
Інші пропозиції A2T20H330W24SR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A2T20H330W24SR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Power LDMOS Transistor |
товар відсутній |
||
|
|
A2T20H330W24SR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: IC TRANS RF LDMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.88GHz Configuration: Dual Power - Output: 58W Gain: 16.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 700 mA |
товар відсутній |
|
| A2T20H330W24SR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V |
товар відсутній |