AFT09MS031GNR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 500 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 500 mA
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1300.98 грн |
10+ | 1151.24 грн |
25+ | 1103.51 грн |
100+ | 912.46 грн |
250+ | 867.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT09MS031GNR1 NXP USA Inc.
Description: NXP - AFT09MS031GNR1 - RF FET, 40V, 150DEG C, 317W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 hours, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 764MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 317W, Bauform - Transistor: TO-270, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції AFT09MS031GNR1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT09MS031GNR1 - RF FET, 40V, 150DEG C, 317W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 764MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 317W Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товар відсутній |
||
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товар відсутній |
||
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R |
товар відсутній |
||
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 31W Gain: 17.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 40 V Voltage - Test: 13.6 V Current - Test: 500 mA |
товар відсутній |
||
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MV9 800MHZ13.6V |
товар відсутній |
||
AFT09MS031GNR1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% |
товар відсутній |