Продукція > NXP USA INC. > AFT18P350-4S2LR6
AFT18P350-4S2LR6

AFT18P350-4S2LR6 NXP USA Inc.


Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+20048.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT18P350-4S2LR6 NXP USA Inc.

Description: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 16.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1 A.

Інші пропозиції AFT18P350-4S2LR6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFT18P350-4S2LR6 Виробник : NXP Semiconductors 338aft18p350-4s2l.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin NI-1230 T/R
товар відсутній
AFT18P350-4S2LR6 AFT18P350-4S2LR6 Виробник : NXP USA Inc. Description: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4LS2L
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 16.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1 A
товар відсутній
AFT18P350-4S2LR6 AFT18P350-4S2LR6 Виробник : NXP Semiconductors AFT18P350-4S2L-1125866.pdf RF MOSFET Transistors AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
товар відсутній