Технічний опис AFT23H200-4S2LR6 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4LS2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.3GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 45W, Gain: 15.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 500 mA.
Інші пропозиції AFT23H200-4S2LR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AFT23H200-4S2LR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Configuration: Dual Power - Output: 45W Gain: 15.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA |
товар відсутній |
|
| AFT23H200-4S2LR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L |
товар відсутній |