Продукція > NXP USA INC. > AFT26HW050GSR3

AFT26HW050GSR3 NXP USA Inc.


AFT26HW050(G)SR3,_AFT26H050W26SR3.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780GS-4L4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.69GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 9W
Gain: 14.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT26HW050GSR3 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780GS-4L4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.69GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 9W, Gain: 14.2dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780GS-4L4L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції AFT26HW050GSR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFT26HW050GSR3 Виробник : NXP / Freescale AFT26HW050S-1125839.pdf RF MOSFET Transistors HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G
товар відсутній