AFT27S006NT1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 28.8dBm
Gain: 22dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 70 mA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 491.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT27S006NT1 NXP USA Inc.
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S006N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції AFT27S006NT1 за ціною від 456.93 грн до 817.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz Betriebsfrequenz, min.: 728MHz euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT27S006N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 28.8dBm Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 70 mA |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT27S006NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3700 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 3700MHz Betriebsfrequenz, min.: 728MHz euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT27S006N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| AFT27S006NT1 | Виробник : Freescale |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AFT27S006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AFT27S006NT1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 6W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 22.8dB Efficiency: 19.8% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| AFT27S006NT1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 6W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 22.8dB Efficiency: 19.8% |
товар відсутній |