AFT27S010NT1 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz
Betriebsfrequenz, min.: 728MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: AFT27S010N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 760.49 грн |
| 50+ | 692.3 грн |
| 100+ | 625.6 грн |
| 250+ | 612.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT27S010NT1 NXP
Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz, Betriebsfrequenz, min.: 728MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: AFT27S010N, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції AFT27S010NT1 за ціною від 538.08 грн до 1211.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT27S010NT1 - HF-FET-Transistor, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 3600MHz Betriebsfrequenz, min.: 728MHz euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: AFT27S010N productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 1.26W Gain: 21.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26 |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 33996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Bulk Package / Case: PLD-1.5W Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 728MHz ~ 3.6GHz Power - Output: 1.26W Gain: 21.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AFT27S010NT1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 10W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 21.8dB Efficiency: 23% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AFT27S010NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 1.26W Gain: 21.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 90 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AFT27S010NT1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 10W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 21.8dB Efficiency: 23% |
товар відсутній |