Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC. > AOTF11S65L
AOTF11S65L

AOTF11S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF11S65.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.32 грн
50+ 124.26 грн
100+ 102.24 грн
500+ 81.19 грн
1000+ 68.89 грн
2000+ 65.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOTF11S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V.

Інші пропозиції AOTF11S65L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOTF11S65L AOTF11S65L Виробник : Alpha & Omega Semiconductor aob11s65.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R
товар відсутній