Технічний опис APT10026L2LLG Microchip Technology
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX, Case: TO264MAX, Mounting: THT, Technology: POWER MOS 7®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 152A, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 38A, On-state resistance: 0.26Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 893W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 267nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT10026L2LLG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| APT10026L2LLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 152A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 267nC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
APT10026L2LLG | Виробник : Microchip Technology | MOSFET MOSFET MOS7 1000 V 26 Ohm TO-264 MAX |
товар відсутній |
|
| APT10026L2LLG | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W; TO264MAX Case: TO264MAX Mounting: THT Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 152A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 38A On-state resistance: 0.26Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 893W Polarisation: unipolar Gate charge: 267nC |
товар відсутній |