APT17F80B Microsemi Power Products Group
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT17F80B Microsemi Power Products Group
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; TO247-3, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 500W, Technology: POWER MOS 8®, Pulsed drain current: 70A, Gate charge: 122nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 11A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 800V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.58Ω, Gate-source voltage: ±30V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції APT17F80B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT17F80B | Виробник : Microsemi |
 MOSFET Power FREDFET - MOS8 |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
APT17F80B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 500W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 70A Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.58Ω Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
| APT17F80B | Виробник : MICROSEMI |
TO247-3/18 A, 800 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET APT17F80 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT17F80B | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 70A; 500W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 500W Technology: POWER MOS 8® Pulsed drain current: 70A Gate charge: 122nC Polarisation: unipolar Drain current: 11A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.58Ω Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |