Продукція > ALLIANCE MEMORY > AS6C8016-55BINTR
AS6C8016-55BINTR

AS6C8016-55BINTR Alliance Memory


AS6C8016-1775761.pdf Виробник: Alliance Memory
SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+572.48 грн
10+ 519 грн
25+ 441.96 грн
100+ 394.56 грн
250+ 383.21 грн
500+ 364.52 грн
1000+ 351.83 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS6C8016-55BINTR Alliance Memory

Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-LFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції AS6C8016-55BINTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AS6C8016-55BINTR Виробник : ALLIANCE MEMORY AS6C8016.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C8016-55BINTR AS6C8016-55BINTR Виробник : Alliance Memory, Inc. AS6C8016.pdf Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
AS6C8016-55BINTR Виробник : ALLIANCE MEMORY AS6C8016.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.7÷5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5V
товар відсутній