BAL99E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V
на замовлення 220400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8266+ | 2.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAL99E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V.
Інші пропозиції BAL99E6327HTSA1 за ціною від 3.15 грн до 24.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAL99E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 85V 0.25A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BAL99E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 85V 0.25A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BAL99E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 85V 0.25A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BAL99E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diode Switching Si 85V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BAL99E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BAL99E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PG-SOT23 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 70 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BAL99E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode |
товар відсутній |