BAT 54W H6327

BAT 54W H6327 Infineon Technologies


Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en-1225947.pdf Виробник: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diode
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAT 54W H6327 Infineon Technologies

Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 5 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: PG-SOT323-3, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V.

Інші пропозиції BAT 54W H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BAT 54W H6327 BAT 54W H6327 Виробник : Infineon Technologies bat54series.pdf Diode Schottky Si 0.2A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BAT54WH6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS15399-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товар відсутній