Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BC856AE6327
BC856AE6327

BC856AE6327 Infineon Technologies

INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 330 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 15000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC856AE6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 330 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC856AE6327 за ціною від 1.33 грн до 1.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BC856A-E6327 BC856A-E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 330 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 18000
BC856A-E6327 INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BC856AE6327 INFNS12319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BC856AE6327 BC856AE6327 Виробник : Infineon Technologies bc856series_bc857series_bc858series_bc859series_bc860series.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BC 856A E6327 BC 856A E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній