BC856BE-6327
Виробник:
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856BE-6327
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BC856BE-6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BC856BE6327 |
 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
BC 856B E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 |
товар відсутній |
|
|
|
BC 856B E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 |
товар відсутній |
|
 |
BC856BE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |