BC857BWE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13172+ | 1.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC857BWE6327 Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC857BWE6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BC857BWE6327 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 114000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BC 857BW E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
товар відсутній |