BC807-25QAZ NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: BC807-25QA - 45 V, 500 MA PNP GE
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 595000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9306+ | 2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC807-25QAZ NXP USA Inc.
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 900 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC807-25QAZ за ціною від 2.34 грн до 23.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC807-25QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BC807-25QAZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC807-25QA/SOT1215/DFN1010D-3 |
на замовлення 12814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC807-25QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC807-25QAZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BC807-25QAZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 900mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BC807-25QAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 900mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BC807-25QAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |