Продукція > INFINEON > BCR521E6327

BCR521E6327 Infineon

INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon
Transistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Substitute: BCR521E6327HTSA1; BCR521E6327; BCR521E6327 TBCR521
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 200
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR521E6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 100 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.

Інші пропозиції BCR521E6327 за ціною від 4.21 грн до 26.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR 521 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR521-DS-v01_01-en-514510.pdf Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.79 грн
15+ 20.65 грн
100+ 11.15 грн
1000+ 5.81 грн
3000+ 5.27 грн
9000+ 4.54 грн
24000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
BCR521E6327 BCR521E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товар відсутній
BCR 521 E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
BCR521E6327 BCR521E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 1kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Collector current: 0.5A
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Frequency: 100MHz
Type of transistor: NPN
товар відсутній