BCW60CE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 100918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7397+ | 2.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW60CE6327 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW60CE6327 за ціною від 2.78 грн до 25.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCW60CE6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz |
на замовлення 622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW60CE6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 622 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW 60C E6327 | Виробник : Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
на замовлення 33021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW 60C E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW60CE6327 | Виробник : Infineon |
NPN 100mA 32V 330mW 250MHz BCW60C smd TBCW60c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCW60C-E6327 | Виробник : INFINEON | 00+/01 |
на замовлення 456000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |