BCW61BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6869+ | 2.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW61BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW61BE6327HTSA1 за ціною від 3.6 грн до 3.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |
|||||
 |
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
товар відсутній |