Продукція > NXP USA INC. > BCW61C/DG/B2215
BCW61C/DG/B2215

BCW61C/DG/B2215 NXP USA Inc.


PHGLS09979-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: NXP USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 15000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW61C/DG/B2215 NXP USA Inc.

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 250 mW.

Інші пропозиції BCW61C/DG/B2215 за ціною від 2.23 грн до 2.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCW61C/DG/B2215 Виробник : NXP PHGLS09979-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - BCW61C/DG/B2215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16025+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 16025