BCW66GLT3G

BCW66GLT3G ON Semiconductor


bcw66glt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 30000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW66GLT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 160, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції BCW66GLT3G за ціною від 1.21 грн до 14.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.7 грн
30000+ 1.61 грн
50000+ 1.45 грн
100000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi bcw66glt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 232363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.9 грн
32+ 8.77 грн
100+ 4.25 грн
500+ 3.33 грн
1000+ 2.31 грн
2000+ 2 грн
5000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : onsemi BCW66GLT1_D-2310274.pdf Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR
на замовлення 59307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.38 грн
32+ 9.68 грн
100+ 3.45 грн
1000+ 2.12 грн
2500+ 1.99 грн
10000+ 1.52 грн
20000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 22
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ON Semiconductor bcw66glt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 160...400
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ONSEMI BCW66GLT1-D.PDF Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 160
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BCW66GLT3G BCW66GLT3G Виробник : ONSEMI bcw66glt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 160...400
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
товар відсутній