BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW68GE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW68GE6327HTSA1 за ціною від 3.83 грн до 28.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW68GE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BCW68GE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
|
BCW68GE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
BCW68GE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |
|||||||
|
|
BCW68GE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |
|||||||
 |
BCW68GE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR |
товар відсутній |