Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BD13816STU
BD13816STU

BD13816STU ON Semiconductor

bd136-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+22.91 грн
27+ 21.68 грн
100+ 18.38 грн
500+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 26
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BD13816STU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BD13816STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BD13816STU за ціною від 15.09 грн до 43.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BD13816STU BD13816STU Виробник : onsemi BD136_138_140.pdf Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.72 грн
60+ 31.77 грн
120+ 23.06 грн
540+ 18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
BD13816STU BD13816STU Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013215095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BD13816STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.06 грн
21+ 36.1 грн
100+ 22.62 грн
500+ 17.46 грн
1000+ 15.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
BD13816STU BD13816STU Виробник : onsemi / Fairchild BD136_D-2310305.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.46 грн
10+ 35.32 грн
100+ 22.37 грн
500+ 18.63 грн
1000+ 17.42 грн
11520+ 17.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
BD13816STU BD13816STU Виробник : ON Semiconductor bd136-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
BD13816STU BD13816STU Виробник : ONSEMI BD136_138_140.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BD13816STU BD13816STU Виробник : ONSEMI BD136_138_140.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
товар відсутній