BD435G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
Description: TRANS NPN 32V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 8102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
858+ | 23.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD435G onsemi
Description: TRANS NPN 32V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 36 W.
Інші пропозиції BD435G за ціною від 20.45 грн до 33.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD435G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BD435G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BD435G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD435G - TRANS, NPN, 32V, 4A, 150DEG C, 36W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BD435G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BD435G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 36 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BD435G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 22V |
товар відсутній |