BF1109WR,115 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 9V CMPAK-4
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 20dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 1.5dB
Supplier Device Package: CMPAK-4
Voltage - Rated: 11 V
Voltage - Test: 9 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1567+ | 12.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF1109WR,115 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 9V CMPAK-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 800MHz, Configuration: N-Channel Dual Gate, Gain: 20dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 1.5dB, Supplier Device Package: CMPAK-4, Voltage - Rated: 11 V, Voltage - Test: 9 V.
Інші пропозиції BF1109WR,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BF1109WR,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
BF1109WR,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET 9V CMPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 800MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Gain: 20dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 1.5dB Supplier Device Package: CMPAK-4 Voltage - Rated: 11 V Voltage - Test: 9 V |
товар відсутній |