BF776H6327XTSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF776H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 46GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - BF776H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50mA
Übergangsfrequenz: 46GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 7.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BF776H6327XTSA1 INFINEON
Description: INFINEON - BF776H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Bauform - HF-Transistor: SOT-343, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 50mA, Übergangsfrequenz: 46GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BF776H6327XTSA1 за ціною від 7.94 грн до 1104.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BF776H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BF776H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: No SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 11650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
на замовлення 1064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
BF776H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 24dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
товар відсутній |