BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 580mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: SOT-343, Bauform - HF-Transistor: SOT-343, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 80mA, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BFP193WH6327XTSA1 за ціною від 3.43 грн до 30.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 16907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 16907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 580mW euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-343 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 80mA Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 8696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13.5dB ~ 20.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Active |
на замовлення 53100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 10948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
на замовлення 8696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BFP193WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R |
товар відсутній |