Технічний опис BFS481E6327 INF
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 20dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BFS481E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BFS481 E6327 | Виробник : INFINEON | 09+ |
на замовлення 21018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BFS481 E6327 | Виробник : INFINEON | SOT363-RF PB-FRE |
на замовлення 753000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BFS 481 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
 |
BFS 481 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR |
товар відсутній |
|
| BFS 481 E6327 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |