Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFS 481 H6327
BFS 481 H6327

BFS 481 H6327 Infineon Technologies

Infineon_LNA_BFS481-75087.pdf Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 22239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 41.79 грн
100+ 27.1 грн
500+ 22.65 грн
1000+ 19.26 грн
3000+ 17.47 грн
6000+ 16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFS 481 H6327 Infineon Technologies

Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 20dB, Power - Max: 175mW, Current - Collector (Ic) (Max): 20mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFS 481 H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFS481H6327 BFS481H6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS10803-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товар відсутній