BFU550XRVL

BFU550XRVL NXP Semiconductors


BFU550XR-3137996.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.74 грн
13+ 25.18 грн
100+ 12.42 грн
1000+ 6.34 грн
2500+ 5.54 грн
10000+ 4.14 грн
20000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFU550XRVL NXP Semiconductors

Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-143R, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Gain: 15.5dB, Power - Max: 450mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V, Frequency - Transition: 11GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: SOT-143R, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFU550XRVL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BFU550XRVL BFU550XRVL Виробник : NXP Semiconductors bfu550xr.pdf Trans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товар відсутній
BFU550XRVL BFU550XRVL Виробник : NXP USA Inc. BFU550XR.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товар відсутній