Продукція > NXP USA INC. > BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112 NXP USA Inc.


BLS6G2731-120_6G2731S-120.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 60V 3.1GHZ SOT502B
Packaging: Tube
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+14095.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BLS6G2731S-120,112 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-502B, Current Rating (Amps): 33A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz, Power - Output: 120W, Gain: 13.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: SOT502B, Voltage - Rated: 60 V, Voltage - Test: 32 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції BLS6G2731S-120,112 за ціною від 21372.18 грн до 21372.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BLS6G2731S-120,112 Виробник : NXP PHGL-S-A0001575823-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - BLS6G2731S-120,112 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+21372.18 грн
BLS6G2731S-120,112 Виробник : Ampleon 86bls6g2731-120_6g2731s-120.pdf Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin SOT-502B Bulk
товар відсутній
BLS6G2731S-120,112 BLS6G2731S-120,112 Виробник : Ampleon USA Inc. BLS6G2731-120_6G2731S-120.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-502B
Current Rating (Amps): 33A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.7GHz ~ 3.1GHz
Power - Output: 120W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT502B
Voltage - Rated: 60 V
Voltage - Test: 32 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній