BS170 onsemi / Fairchild
на замовлення 74627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.68 грн |
15+ | 20.65 грн |
100+ | 8.01 грн |
1000+ | 5.61 грн |
2500+ | 5.47 грн |
10000+ | 5.07 грн |
50000+ | 4.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BS170 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.
Аналог BS170 onsemi / Fairchild
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170-D26Z Код товару: 143717 |
Виробник : ON |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 1118 шт
|
|
Інші пропозиції BS170 за ціною від 5.26 грн до 33.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS170 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BS170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 44373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS170 | Виробник : ON-Semicoductor | N-MOSFET 500mA 60V 350mW BS170(bulk), BS170G(tube) BS170 TO92(bulk) TBS170 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
BS170 (Fairchild) транзистор Код товару: 26014 |
Виробник : FS |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,5 A Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
BS170 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS170 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS170 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS170 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS170 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.5A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS170 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; Idm: 1.2A; 0.83W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |