Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC026N08NS5ATMA1
BSC026N08NS5ATMA1

BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

48727042373587264dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624ad04ef.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC026N08NS5ATMA1 за ціною від 69.09 грн до 232.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+74.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+97.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+148.29 грн
250+ 134.81 грн
1000+ 102.92 грн
3000+ 93.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+176 грн
50+ 148.29 грн
250+ 134.81 грн
1000+ 102.92 грн
3000+ 93.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+188.19 грн
75+ 157.97 грн
100+ 149.19 грн
200+ 142.92 грн
500+ 120.15 грн
1000+ 108.65 грн
2000+ 106.15 грн
5000+ 102.8 грн
Мінімальне замовлення: 63
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.43 грн
10+ 169.34 грн
100+ 136.99 грн
500+ 114.27 грн
1000+ 97.85 грн
2000+ 92.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+215.5 грн
10+ 180.8 грн
25+ 173.12 грн
100+ 146.61 грн
250+ 129.22 грн
500+ 111.32 грн
1000+ 83.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+225.73 грн
54+ 217.14 грн
100+ 209.76 грн
250+ 196.14 грн
500+ 176.67 грн
1000+ 165.45 грн
2500+ 161.8 грн
Мінімальне замовлення: 52
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC026N08NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360625.pdf MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 36980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.43 грн
10+ 179.65 грн
25+ 149.55 грн
100+ 132.19 грн
250+ 131.52 грн
500+ 118.17 грн
1000+ 94.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+232.07 грн
61+ 194.71 грн
63+ 186.44 грн
100+ 157.89 грн
250+ 139.16 грн
500+ 119.89 грн
1000+ 89.66 грн
Мінімальне замовлення: 51
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC026N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC026N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній