BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 53.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC027N06LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSC027N06LS5ATMA1 за ціною від 66.76 грн до 178.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC027N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC027N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V |
на замовлення 15630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC027N06LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 83W On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® Drain current: 84A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BSC027N06LS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 83W On-state resistance: 2.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® Drain current: 84A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Polarisation: unipolar |
товар відсутній |