BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.2 грн |
| 10+ | 147.08 грн |
| 100+ | 117.05 грн |
| 500+ | 92.95 грн |
| 1000+ | 78.87 грн |
| 2000+ | 74.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TISON-8, Part Status: Active.
Інші пропозиції BSG0811NDATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
товар відсутній |
||
| BSG0811NDATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors |
товар відсутній |
||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
товар відсутній |