BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 42997.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.
Інші пропозиції BSM180C12P2E202 за ціною від 43461.6 грн до 50953.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180C12P2E202 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 204A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker euEccn: NLR Verlustleistung: 1.36kW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: -Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM180C12P2E202 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|