на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.53 грн |
| 9000+ | 2.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSN20BKR Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V.
Інші пропозиції BSN20BKR за ціною від 2.12 грн до 25.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Knipex - Diagonal Side Cutters productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V |
на замовлення 166595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSN20BK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 36712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSN20BKR - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 402mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSN20BKR | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 402mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 402mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.49nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |