BSO211PH

BSO211PH Infineon Technologies


INFNS17238-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 532FCBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 532-FCBGA (23x23)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
903+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 903
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSO211PH Infineon Technologies

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 532FCBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 532-BFBGA, FCBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1095pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA, Supplier Device Package: 532-FCBGA (23x23), Part Status: Active.

Інші пропозиції BSO211PH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSO211P H BSO211P H Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSO211P_H-DS-v01_03-en-1225551.pdf MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)